В программе конференции (pdf) возможны изменения, следите за изменениями на сайте.
Программа
Понедельник, 7 октября
09:00–11:00 | АУ • Регистрация | ||
11:00–11:30 | Зал АУ • Открытие | ||
11:30–13:00 | Зал АУ • Пленарная сессия – I | ||
13:00–14:30 | Обед | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
14:30–16:00 | Объемные полупроводники – I |
14:30–16:00 | Двумерные полупроводниковые системы – I |
16:00–16:30 | Кофе | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
16:30–18:00 | Поверхность, пленки, слои, наноструктуры – I | 16:30–18:00 | Полупроводниковые лазеры |
18:00–19:30 | АУ • Стендовая сессия – I (секции 1, 8, 10, 11, 12) | ||
19:30–22:00 | Приветственный фуршет |
Вторник, 8 октября
08:30–9:15 | АУ • Регистрация | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
09:15–11:00 | Полупроводниковые оптические приборы |
09:15–11:00 | Фотоника и плазмоника |
11:00–11:30 | Кофе | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
11:30–13:00 | Двумерные электронные системы – I | 11:30–12:45 | Нанофотоника – I |
13:00–14:30 | Обед | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
14:30–16:00 | Нульмерные полупроводниковые системы – I |
14:30–16:00 | Полупроводниковая спинтроника – I |
16:00–16:30 | Кофе | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
16:30–18:00 | Нульмерные полупроводниковые системы – II |
16:30–18:00 | Объемные полупроводники – II |
18:00–19:30 |
АУ • Стендовая сессия – II (секции 2, 4, 6, 7) АУ (параллельно) • Российско-белорусский круглый стол «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов» |
Среда, 9 октября
08:30–09:00 | АУ • Регистрация | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
09:00–10:45 | Полупроводниковые приборы | 09:00–10:45 | Двумерные полупроводниковые системы – II |
10:45–11:15 | Кофе | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
11:15–13:00 | Топологические изоляторы | 11:15–13:00 | Полупроводниковая спинтроника – II |
13:00–14:30 | Обед | ||
15:00–19:00 | Экскурсии |
Четверг, 10 октября
09:15–11:00 | АУ • Регистрация | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
09:15–11:00 | Нанофотоника – II | 09:15–11:00 | Экстремально-двумерные полупроводники |
11:00–11:30 | Кофе | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
11:30–13:00 | Поверхностные процессы в полупроводниках |
11:30–13:00 | Двумерные полупроводники |
13:00–14:30 | Обед | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
14:30–16:00 | Примеси и дефекты – I | 14:30–16:00 | Двумерные электронные системы – II |
16:00–16:30 | Кофе | ||
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
16:30–17:30 | Примеси и дефекты – II | 16:30–17:30 | Поверхность, пленки, слои, наноструктуры – II |
17:30–19:00 | АУ • Стендовая сессия – III (секции 3, 5, 9) | ||
20:00–23:00 | Товарищеский ужин |
Пятница, 11 октября
Зал АУ | Зал ФТИ | ||
09:15–11:00 | Полупроводниковые гетероструктуры | 09:15–11:00 | Объемные полупроводники – III |
11:00–11:30 | Кофе | ||
11:30–12:15 | Зал АУ • Наномеханика | ||
12:15–12:30 | Зал АУ • Спонсорский доклад | ||
12:30–13:15 | Зал АУ • Пленарная сессия – II | ||
13:15–14:00 | Зал АУ • Закрытие |