В программе конференции (pdf) возможны изменения, следите за изменениями на сайте.
Программа
Понедельник, 7 октября
| 09:00–11:00 | АУ • Регистрация | ||
| 11:00–11:30 | Зал АУ • Открытие | ||
| 11:30–13:00 | Зал АУ • Пленарная сессия – I | ||
| 13:00–14:30 | Обед | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 14:30–16:00 | Объемные полупроводники – I |
14:30–16:00 | Двумерные полупроводниковые системы – I |
| 16:00–16:30 | Кофе | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 16:30–18:00 | Поверхность, пленки, слои, наноструктуры – I | 16:30–18:00 | Полупроводниковые лазеры |
| 18:00–19:30 | АУ • Стендовая сессия – I (секции 1, 8, 10, 11, 12) | ||
| 19:30–22:00 | Приветственный фуршет | ||
Вторник, 8 октября
| 08:30–9:15 | АУ • Регистрация | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 09:15–11:00 | Полупроводниковые оптические приборы |
09:15–11:00 | Фотоника и плазмоника |
| 11:00–11:30 | Кофе | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 11:30–13:00 | Двумерные электронные системы – I | 11:30–12:45 | Нанофотоника – I |
| 13:00–14:30 | Обед | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 14:30–16:00 | Нульмерные полупроводниковые системы – I |
14:30–16:00 | Полупроводниковая спинтроника – I |
| 16:00–16:30 | Кофе | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 16:30–18:00 | Нульмерные полупроводниковые системы – II |
16:30–18:00 | Объемные полупроводники – II |
| 18:00–19:30 |
АУ • Стендовая сессия – II (секции 2, 4, 6, 7) АУ (параллельно) • Российско-белорусский круглый стол «Проектирование, синтез и исследование гетероструктур на основе широкозонных III-N материалов и микролазеров на основе высокодобротных резонаторов» |
||
Среда, 9 октября
| 08:30–09:00 | АУ • Регистрация | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 09:00–10:45 | Полупроводниковые приборы | 09:00–10:45 | Двумерные полупроводниковые системы – II |
| 10:45–11:15 | Кофе | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 11:15–13:00 | Топологические изоляторы | 11:15–13:00 | Полупроводниковая спинтроника – II |
| 13:00–14:30 | Обед | ||
| 15:00–19:00 | Экскурсии | ||
Четверг, 10 октября
| 09:15–11:00 | АУ • Регистрация | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 09:15–11:00 | Нанофотоника – II | 09:15–11:00 | Экстремально-двумерные полупроводники |
| 11:00–11:30 | Кофе | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 11:30–13:00 | Поверхностные процессы в полупроводниках |
11:30–13:00 | Двумерные полупроводники |
| 13:00–14:30 | Обед | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 14:30–16:00 | Примеси и дефекты – I | 14:30–16:00 | Двумерные электронные системы – II |
| 16:00–16:30 | Кофе | ||
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 16:30–17:30 | Примеси и дефекты – II | 16:30–17:30 | Поверхность, пленки, слои, наноструктуры – II |
| 17:30–19:00 | АУ • Стендовая сессия – III (секции 3, 5, 9) | ||
| 20:00–23:00 | Товарищеский ужин | ||
Пятница, 11 октября
| Зал АУ | Зал ФТИ | ||
| 09:15–11:00 | Полупроводниковые гетероструктуры | 09:15–11:00 | Объемные полупроводники – III |
| 11:00–11:30 | Кофе | ||
| 11:30–12:15 | Зал АУ • Наномеханика | ||
| 12:15–12:30 | Зал АУ • Доклад ООО «Активная фотоника» | ||
| 12:30–13:15 | Зал АУ • Пленарная сессия – II | ||
| 13:15–14:00 | Зал АУ • Закрытие | ||